Коррелированное изменение электрических характеристик тонкопленочного полевого транзистора при модификации физических свойств его оксидного полупроводникового канала (InZnO : N)

Исследованы изменения передаточной и вольт-фарадной характеристик тонкопленочного полевого транзистора при варьировании физических свойств оксидного полупроводникового слоя (InZnO : N), образующего канал. Для модификации электрических параметров прибора использовался эффект фотоиндуцированного накопления заряда в полупроводнике. Показано коррелированное однообразное изменение наклона и положения на оси напряжений вольт-фарадной $(C_{G}-V_{G})$ и передаточной $(I_{D}-V_{G})$ кривых устройства при засветке. Полученные результаты подтверждают правомерность совместного использования характеристик $C_{G}-V_{G}$ и $I_{D}-V_{G}$ при анализе особенностей энергетической зонной структуры оксидных полупроводников.