|
Образование кластеров спайков в CMOS-матрицах, облученных протонами и нейтронами
Н. А. Ивановa, О. В. Лобановa, В. В. Пашукa, М. О. Прыгуновb, К. Г. Сизоваc a Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
b ООО "О2 Световые Системы", Санкт-Петербург, Россия
c ООО НПЦ "Гранат", г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы распределения пикселей с большой величиной темнового тока в CMOS-матрицах, облученных протонами с энергией 1000 MeV и нейтронами сплошного спектра, моделирующего энергетический спектр атмосферных нейтронов. Получены данные об образовании кластеров спайков в облученных матрицах и влиянии времени экспозиции на параметры кластеров.
Поступила в редакцию: 09.07.2018
Образец цитирования:
Н. А. Иванов, О. В. Лобанов, В. В. Пашук, М. О. Прыгунов, К. Г. Сизова, “Образование кластеров спайков в CMOS-матрицах, облученных протонами и нейтронами”, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018), 48–54; Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 973–975
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5651 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i21/p48
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 13 |
|