Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 21, страницы 10–15
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.21.46850.17307 (Mi pjtf5646) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Диэлектрические потери в MPCVD-алмазах в полосах частот 25–30 и 250–350 GHz в зависимости от параметров процесса роста

Б. М. Гаринa, В. В. Паршинb, Е. А. Серовb, А. С. Николенкоb, Я. Ц. Люc, М. Х. Динc, В. Чж. Танc

a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
c Университет науки и технологии Пекина, Пекин, Китай
PDF полного текста (157 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.21.46850.17307
Аннотация: Проведено комплексное систематическое исследование влияния различных параметров процесса роста CVD-алмазов в микроволновой плазме (MPCVD-алмазов), таких как температура подложки, химический состав газовой смеси и др., на диэлектрические потери в двух частотных полосах (25–30 и 250–350 GHz) более чем для десяти образцов различных серий. Выявлена корреляция между величинами потерь в этих двух полосах частот.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-52-53140
Работа частично поддержана РФФИ (проект № 16-52-53140).
Поступила в редакцию: 23.03.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 11, Pages 956–958
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501811007X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. М. Гарин, В. В. Паршин, Е. А. Серов, А. С. Николенко, Я. Ц. Лю, М. Х. Дин, В. Чж. Тан, “Диэлектрические потери в MPCVD-алмазах в полосах частот 25–30 и 250–350 GHz в зависимости от параметров процесса роста”, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018), 10–15; Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 956–958
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GarParSer18}
\by Б.~М.~Гарин, В.~В.~Паршин, Е.~А.~Серов, А.~С.~Николенко, Я.~Ц.~Лю, М.~Х.~Дин, В.~Чж.~Тан
\paper Диэлектрические потери в MPCVD-алмазах в полосах частот 25--30 и 250--350 GHz в зависимости от параметров процесса роста
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 21
\pages 10--15
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5646}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.21.46850.17307}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36905910}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 11
\pages 956--958
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501811007X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5646
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i21/p10
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024