Исследование in situ кинетики твердофазной реакции, активированной энергией упругих напряжений при формировании наноразмерной пленочной структуры Cu/As$_{2}$Se$_{3}$

Впервые исследована in situ кинетика твердофазной химической реакции, активированная энергией упругих напряжений при формировании наноразмерной пленочной структуры Cu/As$_{2}$Se$_{3}$. Показано, что время, при котором начинается твердофазная химическая реакция, а также величина электрического напряжения гетерослоя Cu/As$_{2}$Se$_{3}$ существенно зависят от толщины пленки As$_{2}$Se$_{3}$. При критической толщине пленки As$_{2}$Se$_{3}$, равной 110 nm, достигается пороговое значение энергии упругих напряжений. Релаксация этой энергии по зародившимся в пленочной системе новым дефектам-микропорам и микротрещинам приводит к активации и увеличению скорости твердофазной химической реакции. Представлен механизм действия положительной обратной связи между химической реакцией в твердом теле и упругими напряжениями.