Формирование и изучение оптических свойств светодиодов на основе микропирамид GaN с полупрозрачным контактом Ni/Au/графен

Представлены результаты исследований технологических режимов формирования светодиодов на основе микропирамид InGaN/GaN в геометрии ядро-оболочка, использующих полупрозрачный контакт Ni/Au/графен. Структуры сформированы методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Отработка режимов нанесения графена большой площади, полученного методом химического осаждения из газовой фазы, позволила использовать его в качестве контакта для токовой инжекции. Сформированные светодиоды демонстрируют электролюминесценцию на длине волны излучения 520–540 nm. Данные источники излучения представляют интерес для биомедицинских приложений, в частности для оптогенетики.