|
Роль зарядового состояния поверхностных атомов металлической подложки в допировании квазисвободного графена
С. Ю. Давыдовa, А. А. Лебедевab, Ю. В. Любимоваc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Для оценки влияния металлической подложки на электронное состояние квазисвободного графена предложена простая модель, учитывающая наличие двойного электрического слоя на поверхности металла. Возникающее при этом электростатическое поле сдвигает точку Дирака графена, что приводит к его допированию. Получено аналитическое выражение для заряда атомов графена. Численные оценки сделаны для граней (111) Cu, Ag, Au и Pt. Обсуждается согласие полученных оценок с имеющимися результатами численных расчетов.
Поступила в редакцию: 19.04.2018
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Ю. В. Любимова, “Роль зарядового состояния поверхностных атомов металлической подложки в допировании квазисвободного графена”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 90–95; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1089–1091
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5623 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i23/p90
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 15 |
|