Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 23, страницы 9–15
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.23.47003.17416
(Mi pjtf5611)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Особенности конденсации кремния на поверхности монокристалла вольфрама

О. Л. Голубев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: С помощью методов полевой эмиссионной микроскопии изучалась конденсация Si на поверхности W при различных температурах подложки $T$ и количествах $n$ моноатомных слоев осажденного конденсата. При низких $T\sim$ 600 K на поверхности формируется низкотемпературный монослой Si со структурой чистого W, тогда как при $T\ge$ 1000 K формируется другая структура высокотемпературного монослоя – поверхностный силицид. Низкотемпературный монослой и поверхностный силицид различаются также и ориентирующим действием при наращивании слоев Si. В случае конденсации на низкотемпературный монослой собственные кристаллиты Si формируются уже начиная с третьего монослоя $n\ge$ 3, тогда как при конденсации на поверхностный силицид рост кристаллитов Si происходит начиная с $n\ge$ 300 монослоев.
Поступила в редакцию: 31.05.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 12, Pages 1052–1054
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018120258
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Л. Голубев, “Особенности конденсации кремния на поверхности монокристалла вольфрама”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 9–15; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1052–1054
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gol18}
\by О.~Л.~Голубев
\paper Особенности конденсации кремния на поверхности монокристалла вольфрама
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 23
\pages 9--15
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5611}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.23.47003.17416}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37044639}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 12
\pages 1052--1054
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018120258}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5611
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i23/p9
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024