|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Особенности конденсации кремния на поверхности монокристалла вольфрама
О. Л. Голубев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
С помощью методов полевой эмиссионной микроскопии изучалась конденсация Si на поверхности W при различных температурах подложки $T$ и количествах $n$ моноатомных слоев осажденного конденсата. При низких $T\sim$ 600 K на поверхности формируется низкотемпературный монослой Si со структурой чистого W, тогда как при $T\ge$ 1000 K формируется другая структура высокотемпературного монослоя – поверхностный силицид. Низкотемпературный монослой и поверхностный силицид различаются также и ориентирующим действием при наращивании слоев Si. В случае конденсации на низкотемпературный монослой собственные кристаллиты Si формируются уже начиная с третьего монослоя $n\ge$ 3, тогда как при конденсации на поверхностный силицид рост кристаллитов Si происходит начиная с $n\ge$ 300 монослоев.
Поступила в редакцию: 31.05.2018
Образец цитирования:
О. Л. Голубев, “Особенности конденсации кремния на поверхности монокристалла вольфрама”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 9–15; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1052–1054
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5611 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i23/p9
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 9 |
|