Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 23, страницы 3–8
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.23.47002.17480 (Mi pjtf5610) 		 
Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей

Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Э. М. Данилина

Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
PDF полного текста (94 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.23.47002.17480
Аннотация: Методом зонной перекристаллизации градиентом температуры получены изопараметрические гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотопреобразователей, работающих в интервале длин волн 500–3200 nm. Использование пятикомпонентных твердых растворов AlInPSbAs в качестве активной области термофотопреобразователей позволяет повысить величину внешнего квантового выхода до 0.9 в спектральном диапазоне 520–2800 nm.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-19-01676
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 14-19-01676).
Поступила в редакцию: 30.07.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 12, Pages 1049–1051
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018120301
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Э. М. Данилина, “Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 3–8; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1049–1051
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunLunPas18}
\by Л.~С.~Лунин, М.~Л.~Лунина, А.~С.~Пащенко, Д.~Л.~Алфимова, Э.~М.~Данилина
\paper Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 23
\pages 3--8
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5610}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.23.47002.17480}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37044637}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 12
\pages 1049--1051
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018120301}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5610
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i23/p3
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024