Экспериментальное обнаружение резонансного туннелирования в легированной структуре с одиночной квантовой ямой методом адмиттансной спектроскопии

Проведены адмиттансные измерения серии гетероструктур с прецизионно выращенными методом MOCVD квантовыми ямами (КЯ) In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs (0.19 $\le x\le$ 0.3). Впервые методом адмиттансной спектроскопии зарегистрировано наличие резонансно-туннельной эмиссии как определяющего механизма формирования высокочастотной проводимости легированных гетероструктур с КЯ, проведено разделение туннельного и резонансно-туннельного вкладов и проанализировано влияние туннельной составляющей на общий темп эмиссии носителей из КЯ. Выполнено самосогласованное моделирование вольт-фарадных характеристик структур, а также расчет коэффициента прозрачности системы, формируемой потенциалом Хартри в окрестности КЯ. Экспериментально и путем численных расчетов показано, что вероятность резонансно-туннельной эмиссии падает с ростом обратного смещения из-за нарушения симметричности барьеров.