Особенности люминесценции гетероструктур ZnO : Te/GaN/Al$_{2}$O$_{3}$

Методом газофазной эпитаксии в водороде в проточном реакторе пониженного давления получены качественные гетероэпитаксиальные структуры (0001)ZnO : Te/(0001)GaN/(0001)Аl$_{2}$O$_{3}$. Проведен рентгеноструктурный анализ указанных гетероструктур, который показал высокое структурное совершенство тонких слоев оксида цинка. Также изучена морфология поверхности и проведен анализ особенностей ультрафиолетовой фотолюминесценции гетероструктуры ZnO/GaN/Аl$_{2}$O$_{3}$.