|
Влияние дисперсии магнитной анизотропии кластеров Ge$_{3}$Mn$_{5}$ на температурные зависимости намагниченности тонких пленок Ge:Mn
А. И. Дмитриевab, М. С. Дмитриеваab, Г. Г. Зиборовc a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
b Российский университет транспорта, Москва, Россия
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
Аннотация:
Для ионно-имплантированных тонких пленок Ge:Mn (4 at.% Mn), содержащих кластеры Ge$_{3}$Mn$_{5}$, получены температурные зависимости намагниченности M(T), измеренные после охлаждения пленок в нулевом магнитном поле (ZFC) и в магнитном поле 10 kOe (FC). Установлено, что вид ZFC–FC-кривых $M(T)$ определяется логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров, задаваемым их распределением по размеру. Анализ ZFC–FC-кривых позволил оценить температуру блокировки и дисперсию магнитной анизотропии кластеров, а также константу магнитной анизотропии.
Поступила в редакцию: 12.10.2018
Образец цитирования:
А. И. Дмитриев, М. С. Дмитриева, Г. Г. Зиборов, “Влияние дисперсии магнитной анизотропии кластеров Ge$_{3}$Mn$_{5}$ на температурные зависимости намагниченности тонких пленок Ge:Mn”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 36–38; Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 34–36
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5566 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i2/p36
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 7 |
|