|
Влияние слоя аморфного кремния на адсорбционные свойства полупроводниковой структуры в условиях фотостимуляции
С. В. Стецюраa, А. В. Козловскийa, Д. М. Митинb, А. А. Сердобинцевa a Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Изучена фотостимулированная адсорбция глюкозооксидазы (GOx) на пластины монокристаллического Si с покрытием из аморфного Si ($a$-Si). Оценка разности заполнения поверхности молекулами GOx при фотостимулированной адсорбции и темновой адсорбции позволила установить, что этот показатель увеличивается для структур, содержащих слой $a$-Si, в 2.5 раза при использовании $n$-Si и в 1.5 раза в случае $p$-Si. Показано, что в структуре $n$-Si/$a$-Si возможна реализация метода предварительной фотостимуляции процесса адсорбции GOx.
Поступила в редакцию: 10.09.2018
Образец цитирования:
С. В. Стецюра, А. В. Козловский, Д. М. Митин, А. А. Сердобинцев, “Влияние слоя аморфного кремния на адсорбционные свойства полупроводниковой структуры в условиях фотостимуляции”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 14–17; Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 12–15
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5560 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i2/p14
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 18 |
|