Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 2, страницы 14–17
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.02.47215.17520
(Mi pjtf5560)
 

Влияние слоя аморфного кремния на адсорбционные свойства полупроводниковой структуры в условиях фотостимуляции

С. В. Стецюраa, А. В. Козловскийa, Д. М. Митинb, А. А. Сердобинцевa

a Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Изучена фотостимулированная адсорбция глюкозооксидазы (GOx) на пластины монокристаллического Si с покрытием из аморфного Si ($a$-Si). Оценка разности заполнения поверхности молекулами GOx при фотостимулированной адсорбции и темновой адсорбции позволила установить, что этот показатель увеличивается для структур, содержащих слой $a$-Si, в 2.5 раза при использовании $n$-Si и в 1.5 раза в случае $p$-Si. Показано, что в структуре $n$-Si/$a$-Si возможна реализация метода предварительной фотостимуляции процесса адсорбции GOx.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-08-00524_а
Исследования выполнены при поддержке РФФИ (проект № 16-08-00524_а).
Поступила в редакцию: 10.09.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 1, Pages 12–15
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019010346
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Стецюра, А. В. Козловский, Д. М. Митин, А. А. Сердобинцев, “Влияние слоя аморфного кремния на адсорбционные свойства полупроводниковой структуры в условиях фотостимуляции”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 14–17; Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 12–15
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SteKozMit19}
\by С.~В.~Стецюра, А.~В.~Козловский, Д.~М.~Митин, А.~А.~Сердобинцев
\paper Влияние слоя аморфного кремния на адсорбционные свойства полупроводниковой структуры в условиях фотостимуляции
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 2
\pages 14--17
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5560}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.02.47215.17520}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37481271}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 1
\pages 12--15
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019010346}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5560
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i2/p14
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024