Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 4, страницы 31–33
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47334.17599 (Mi pjtf5531) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Гетероструктура BaTiO$_{3}$/LaSrMnO$_{3}$ на сапфире для сегнетоэлектрических туннельных переходов

А. Г. Гагаринa, А. В. Тумаркинa, Е. Н. Сапегоa, Т. С. Кункельbc, В. М. Стожаровd

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (205 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47334.17599
Аннотация: На подложке r-среза сапфира методом высокочастотного магнетронного распыления реализованы структуры BaTiO$_{3}$/LaSrMnO$_{3}$ с толщиной сегнетоэлектрического слоя 10 nm. Структурные исследования показали наличие кристаллической фазы, электрофизические измерения выявили пьезоэлектрический отклик полученных пленок титаната бария. Результаты измерений локальных вольт-амперных характеристик демонстрируют зависимость сопротивления от истории приложения напряжения, обусловленную сегнетоэлектрическим гистерезисом пленки BaTiO$_{3}$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-08-00808 A
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 16-08-00808 A.
Поступила в редакцию: 16.11.2018
Исправленный вариант: 16.11.2018
Принята в печать: 22.11.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 2, Pages 152–154
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019020263
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Г. Гагарин, А. В. Тумаркин, Е. Н. Сапего, Т. С. Кункель, В. М. Стожаров, “Гетероструктура BaTiO$_{3}$/LaSrMnO$_{3}$ на сапфире для сегнетоэлектрических туннельных переходов”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 31–33; Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 152–154
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GagTumSap19}
\by А.~Г.~Гагарин, А.~В.~Тумаркин, Е.~Н.~Сапего, Т.~С.~Кункель, В.~М.~Стожаров
\paper Гетероструктура BaTiO$_{3}$/LaSrMnO$_{3}$ на сапфире для сегнетоэлектрических туннельных переходов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 4
\pages 31--33
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5531}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.04.47334.17599}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37481327}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 2
\pages 152--154
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019020263}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5531
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i4/p31
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024