|
Письма в Журнал технической физики, 1987, том 13, выпуск 13, страницы 800–804
(Mi pjtf552)
|
|
|
|
Окисление чистой поверхности $Ga\,As(110)$ и закрепление уровня Ферми
В. Л. Берковиц, В. А. Киселев, Т. А. Минашвили Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию: 24.03.1987
Образец цитирования:
В. Л. Берковиц, В. А. Киселев, Т. А. Минашвили, “Окисление чистой поверхности $Ga\,As(110)$ и закрепление уровня Ферми”, Письма в ЖТФ, 13:13 (1987), 800–804
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf552 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v13/i13/p800
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 18 |
|