|
Сравнительный фотолюминесцентный анализ точечных дефектов в SiO$_{2}$, индуцированных имплантацией ионов Ar$^{+}$ и облучением нейтронами
И. П. Щербаков, А. Е. Чмель Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Внедрение ионов Si$^{+}$ и других элементов в аморфный диоксид кремния при их взаимодействии вызывает повреждение структурных связей, наблюдаемых по полосам колебательных спектров. Оптических переходов беспримесный SiO$_{2}$ не имеет, но при внедрении ионов/нейтронов в спектре фотолюминесценции появляются полосы наведенных точечных дефектов. Проведено сравнение генерации активных в фотолюминесценции дефектов потоками ионов Ar$^{+}$ и тепловых нейтронов. Показано, что характер повреждения структуры связан как со спецификой синтеза/обработки материала, так и с особенностями взаимодействия с веществом ионов (атомные столкновения) и нейтронов (столкновения с ядрами атомов).
Поступила в редакцию: 27.11.2018 Исправленный вариант: 27.11.2018 Принята в печать: 04.12.2018
Образец цитирования:
И. П. Щербаков, А. Е. Чмель, “Сравнительный фотолюминесцентный анализ точечных дефектов в SiO$_{2}$, индуцированных имплантацией ионов Ar$^{+}$ и облучением нейтронами”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 24–26; Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 208–210
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5511 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i5/p24
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 8 |
|