Сравнительный фотолюминесцентный анализ точечных дефектов в SiO$_{2}$, индуцированных имплантацией ионов Ar$^{+}$ и облучением нейтронами

Внедрение ионов Si$^{+}$ и других элементов в аморфный диоксид кремния при их взаимодействии вызывает повреждение структурных связей, наблюдаемых по полосам колебательных спектров. Оптических переходов беспримесный SiO$_{2}$ не имеет, но при внедрении ионов/нейтронов в спектре фотолюминесценции появляются полосы наведенных точечных дефектов. Проведено сравнение генерации активных в фотолюминесценции дефектов потоками ионов Ar$^{+}$ и тепловых нейтронов. Показано, что характер повреждения структуры связан как со спецификой синтеза/обработки материала, так и с особенностями взаимодействия с веществом ионов (атомные столкновения) и нейтронов (столкновения с ядрами атомов).