Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 6, страницы 27–29
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.06.47495.17641 (Mi pjtf5495) 		 
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Генерация терагерцевого излучения в магнитных переходах на основе нанопроволок

Ю. В. Гуляевa, С. Г. Чигаревa, А. И. Панасb, Е. А. Вилковa, Н. А. Максимовa, Д. Л. Загорскийc, А. С. Шаталовc

a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Россия
c Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
PDF полного текста (211 kB) Список цитирования (14)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.06.47495.17641
Аннотация: Исследуется система, состоящая из спин-инжекционных излучателей, использующих магнитные переходы на основе массива параллельных наноразмерных проволок. Описываются технология изготовления и возможные варианты структуры нанопроволок. Обсуждаются условия формирования на их основе спин-инжекционных излучателей терагерцевого диапазона нового типа. Описывается структура экспериментального макета и анализируются результаты экспериментов. Продемонстрирована возможность генерации сигнала в диапазоне частот 16–18 THz при пропускании тока высокой плотности через указанный массив.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 007-ГЗ/Ч3363/26
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-27020 мк
Авторы благодарят В.А. Артемова (ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН) за помощь в получении электронных изображений массива нанопроволок, а также Федеральное агентство научных организаций (ФАНО РАН) за поддержку в проведении экспериментальной работы (соглашение № 007-ГЗ/Ч3363/26). Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (18-29-27020 мк).
Поступила в редакцию: 13.12.2018
Исправленный вариант: 17.12.2018
Принята в печать: 17.12.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 3, Pages 271–273
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019030271
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. В. Гуляев, С. Г. Чигарев, А. И. Панас, Е. А. Вилков, Н. А. Максимов, Д. Л. Загорский, А. С. Шаталов, “Генерация терагерцевого излучения в магнитных переходах на основе нанопроволок”, Письма в ЖТФ, 45:6 (2019), 27–29; Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 271–273
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GulChiPan19}
\by Ю.~В.~Гуляев, С.~Г.~Чигарев, А.~И.~Панас, Е.~А.~Вилков, Н.~А.~Максимов, Д.~Л.~Загорский, А.~С.~Шаталов
\paper Генерация терагерцевого излучения в магнитных переходах на основе нанопроволок
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 6
\pages 27--29
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5495}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.06.47495.17641}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37481365}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 3
\pages 271--273
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019030271}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5495
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i6/p27
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024