Катодолюминесценция слоев TiO$_{2}$, полученных методом молекулярного наслаивания

Использование метода локальной катодолюминесценции структур Si–TiO$_{2}$ и Si–SiO$_{2}$–TiO$_{2}$ способствует ответу на вопрос о природе центров, влияющих на работу мемристоров. Применение этого метода позволило установить, что электроформовка приводит к появлению во внешней части слоя TiO$_{2}$, отличающегося высокой концентрацией дефектов, люминесценции в спектральном диапазоне 250–400 nm. Это позволяет сделать заключение о формировании резкой межфазовой границы между диэлектрическими слоями, получить качественную оценку коэффициента поглощения слоя TiO$_{2}$ и оценить ширину его запрещенной зоны ($\sim$3.3 eV для данной технологии формирования окисного слоя).