|
Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники
А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, Э. Ф. Лобанович Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
Аннотация:
Предложена методика in situ создания омических контактов к EuO на основе алюминия методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Сформированные контакты характеризуются линейной вольт-амперной характеристикой, обладают контактным сопротивлением 0.55 $\Omega$ $\cdot$ mm и стабильны на воздухе, что свидетельствует о перспективности использования предложенной технологии для формирования устройств спинтроники.
Поступила в редакцию: 19.12.2018 Исправленный вариант: 15.01.2019 Принята в печать: 15.01.2019
Образец цитирования:
А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, Э. Ф. Лобанович, “Омические контакты к оксиду европия для устройств спинтроники”, Письма в ЖТФ, 45:7 (2019), 38–40; Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 345–347
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5481 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i7/p38
|
|