Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 10, страницы 9–12
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.10.47748.17478 (Mi pjtf5430) 		 
Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности $kP$-гамильтониана

Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (120 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.10.47748.17478
Аннотация: Выведена и решена система кейновских уравнений с учетом упругих напряжений и несферичности $kP$-гамильтониана, получены аналитические выражения энергетических спектров носителей заряда. Выполнен расчет коэффициента поглощения света тяжелыми дырками с переходом в спин-отщепленную зону в квантовых ямах GaAs/InGaAs для различных направлений поляризации падающего излучения. Показано, что для гетероструктуры GaAs/InGaAs максимальное поглощение будет наблюдаться при ширине квантовой ямы 4–6 nm.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-32-50145
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 17-32-50145).
Поступила в редакцию: 26.07.2018
Исправленный вариант: 18.02.2019
Принята в печать: 22.02.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 5, Pages 481–484
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019050274
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности $kP$-гамильтониана”, Письма в ЖТФ, 45:10 (2019), 9–12; Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 481–484
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavZeg19}
\by Н.~В.~Павлов, Г.~Г.~Зегря
\paper Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности $kP$-гамильтониана
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 10
\pages 9--12
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5430}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.10.47748.17478}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133960}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 5
\pages 481--484
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019050274}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5430
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i10/p9
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024