|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Фоточувствительность оптических сенсоров на основе дихалькогенидов переходных металлов: влияние толщины на их спектральные характеристики
А. Ю. Авдижиян, С. Д. Лавров, А. В. Кудрявцев, А. П. Шестакова, М. В. Васина МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
Аннотация:
Изготовлены образцы полевых транзисторов на основе твердых растворов дихалькогенидов переходных металлов. Методом фототоковой спектроскопии исследованы их спектральные характеристики. Представлены результаты теоретической оценки общего оптического поглощения двумерных полупроводников при различных толщинах образца и для разных длин волн оптического излучения с учетом многолучевой интерференции. Показано, что интерференционные эффекты вносят значительный вклад в изменение формы спектральных характеристик оптических сенсоров при изменении толщины фоточувствительного слоя дихалькогенидов переходных металлов.
Ключевые слова:
двумерные полупроводники, спектроскопия, дихалькогениды переходных металлов, линейная оптика.
Поступила в редакцию: 07.03.2019 Исправленный вариант: 20.03.2019 Принята в печать: 20.03.2019
Образец цитирования:
А. Ю. Авдижиян, С. Д. Лавров, А. В. Кудрявцев, А. П. Шестакова, М. В. Васина, “Фоточувствительность оптических сенсоров на основе дихалькогенидов переходных металлов: влияние толщины на их спектральные характеристики”, Письма в ЖТФ, 45:12 (2019), 42–44; Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 625–627
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5409 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i12/p42
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 68 | PDF полного текста: | 27 |
|