Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 12, страницы 26–29
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.12.47914.17798 (Mi pjtf5405) 		 
Исследование многослойных тонкопленочных структур методом резерфордовского обратного рассеяния

В. И. Бачурин, Н. С. Мелесов, Е. О. Паршин, А. С. Рудый, А. Б. Чурилов

Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН, Ярославль, Россия
PDF полного текста (247 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.12.47914.17798
Аннотация: Представлены результаты изучения возможностей метода резерфордовского обратного рассеяния для анализа многослойной структуры, содержащей слои нанометрового масштаба с близкими по массам элементами. Показано, что резерфордовское обратное рассеяние позволяет с достаточно высокой точностью определять состав таких структур, толщину пленки в целом и толщины отдельных слоев и может использоваться для входного контроля технологических структур, применяемых в микро- и нанотехнологиях.
Ключевые слова: многослойные тонкопленочные структуры, послойный анализ, резерфордовское обратное рассеяние.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0066-2019-0003
Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования и науки РФ Ярославскому филиалу Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН по теме № 0066-2019-0003 на оборудовании Центра коллективного пользования “Диагностика микро- и наноструктур”.
Поступила в редакцию: 20.03.2019
Исправленный вариант: 20.03.2019
Принята в печать: 25.03.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 6, Pages 609–612
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019060191
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Бачурин, Н. С. Мелесов, Е. О. Паршин, А. С. Рудый, А. Б. Чурилов, “Исследование многослойных тонкопленочных структур методом резерфордовского обратного рассеяния”, Письма в ЖТФ, 45:12 (2019), 26–29; Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 609–612
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BacMelPar19}
\by В.~И.~Бачурин, Н.~С.~Мелесов, Е.~О.~Паршин, А.~С.~Рудый, А.~Б.~Чурилов
\paper Исследование многослойных тонкопленочных структур методом резерфордовского обратного рассеяния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 12
\pages 26--29
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5405}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.12.47914.17798}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131059}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 6
\pages 609--612
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019060191}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5405
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i12/p26
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024