Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 13, страницы 3–6
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47947.17776 (Mi pjtf5384) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Планарные емкостные структуры на основе сегнетоэлектрических пленок титаната-станната бария на сапфире для сверхвысокочастотных применений

А. В. Тумаркин, М. В. Злыгостов, А. Г. Гагарин, А. Г. Алтынников, Е. Н. Сапего

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (137 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47947.17776
Аннотация: Исследованы структурные свойства сегнетоэлектрических пленок титаната-станната бария на подложках сапфира и сверхвысокочастотные характеристики планарных емкостных элементов на их основе. Установлено, что состав газовой среды в процессе осаждения пленки оказывает существенное влияние на кристаллическую структуру, фазовый состав пленок и их электрические характеристики. Впервые продемонстрирован низкий уровень диэлектрических потерь планарных емкостных элементов на основе пленок титаната-станната бария в частотном диапазоне 2–60 GHz при высокой управляемости.
Ключевые слова: сегнетоэлектрические пленки, титанат-станнат бария, сверхвысокочастотные применения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-79-10156
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.3990.2017/4.6
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда в рамках проекта № 18-79-10156 и Министерства образования и науки РФ (государственное задание № 3.3990.2017/4.6).
Поступила в редакцию: 07.03.2019
Исправленный вариант: 01.04.2019
Принята в печать: 01.04.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 7, Pages 639–642
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019070137
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Тумаркин, М. В. Злыгостов, А. Г. Гагарин, А. Г. Алтынников, Е. Н. Сапего, “Планарные емкостные структуры на основе сегнетоэлектрических пленок титаната-станната бария на сапфире для сверхвысокочастотных применений”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 3–6; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 639–642
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TumZlyGag19}
\by А.~В.~Тумаркин, М.~В.~Злыгостов, А.~Г.~Гагарин, А.~Г.~Алтынников, Е.~Н.~Сапего
\paper Планарные емкостные структуры на основе сегнетоэлектрических пленок титаната-станната бария на сапфире для сверхвысокочастотных применений
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 13
\pages 3--6
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5384}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47947.17776}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131068}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 7
\pages 639--642
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019070137}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5384
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i13/p3
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024