Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 16, страницы 37–40
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.16.48155.17870 (Mi pjtf5350) 		 
Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs

Н. Р. Григорьеваa, И. В. Штромab, Р. В. Григорьевa, И. П. Сошниковbcd, Р. Р. Резникe, Ю. Б. Самсоненкоb, Н. В. Сибиревae, Г. Э. Цырлинcf

a Санкт-Петербургский государственный университет
b Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
f Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (125 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.16.48155.17870
Аннотация: Изучена роль EL2-центров в формировании фотоотклика ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x$ = 0.3) $n$-типа, выращенных с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке $p$-типа. Обнаружено значительное уменьшение времени восстановления фотоотклика нитевидных нанокристаллов по сравнению с таковым для объемного кристалла при переходе EL2-центра из нефотоактивного в основное состояние.
Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, нитевидные нанокристаллы, фотоэлектрические свойства, дефекты, арсенид галлия, кремний.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-72-10047
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 18-72-10047).
Поступила в редакцию: 07.05.2019
Исправленный вариант: 07.05.2019
Принята в печать: 13.05.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 8, Pages 835–838
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019080212
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Р. Григорьева, И. В. Штром, Р. В. Григорьев, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин, “Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 37–40; Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GriShtGri19}
\by Н.~Р.~Григорьева, И.~В.~Штром, Р.~В.~Григорьев, И.~П.~Сошников, Р.~Р.~Резник, Ю.~Б.~Самсоненко, Н.~В.~Сибирев, Г.~Э.~Цырлин
\paper Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 16
\pages 37--40
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5350}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.16.48155.17870}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131229}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 8
\pages 835--838
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019080212}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5350
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i16/p37
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024