|
Глубокая 3D-рентгенолитография на основе высококонтрастного рентгенорезиста
В. П. Назьмов Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
В классической рентгеновской литографии рентгеновская маска и слой резиста располагаются перпендикулярно рентгеновскому лучу, который, поглощаясь в слое резиста, инициирует вдоль своего пути отклик в форме, соответствующей его поперечному сечению. Однако наклон и поворот маски/резиста, а также несколько экспозиций, проведенных последовательно, позволяют создать реальную трехмерную форму с точностью лучше микрометра. Описаны подходы к созданию реальных трехмерных микроструктур методом глубокой рентгеновской литографии, позволяющие формировать из них относительно большие массивы.
Ключевые слова:
рентгеновская литография, двойное облучение, контрастность.
Поступила в редакцию: 17.05.2019 Исправленный вариант: 27.05.2019 Принята в печать: 03.06.2019
Образец цитирования:
В. П. Назьмов, “Глубокая 3D-рентгенолитография на основе высококонтрастного рентгенорезиста”, Письма в ЖТФ, 45:18 (2019), 3–5; Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 906–908
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5313 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i18/p3
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 21 |
|