|
Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями
Н. А. Малеевa, М. А. Бобровa, А. Г. Кузьменковb, А. П. Васильевb, М. М. Кулагинаa, Ю. А. Гусеваa, С. А. Блохинa, В. М. Устиновbc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Оптимальная форма вольт-фарадной характеристики является критическим параметром, определяющим эффективность умножения для гетеробарьерных варакторов (ГБВ) миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Численная модель для расчета вольт-фарадных характеристик и токов утечки ГБВ с произвольным профилем состава и легирования верифицирована на основе опубликованных и оригинальных экспериментальных данных. Спроектированная гетероструктура ГБВ с тремя нелегированными барьерами InAlAs/AlAs/InAlAs в окружении неоднородно легированных модулирующих слоев $n$-InGaAs выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке InP. Тестовые ГБВ, изготовленные из выращенных гетероструктур, демонстрируют близкую к косинусоидальной форму вольт-фарадной характеристики при напряжениях смещения до 2 V, увеличенный коэффициент перекрытия по емкости и низкие токи утечки.
Ключевые слова:
гетеробарьерный варактор, вольт-фарадная характеристика, эпитаксия.
Поступила в редакцию: 03.07.2019 Исправленный вариант: 03.07.2019 Принята в печать: 08.07.2019
Образец цитирования:
Н. А. Малеев, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, А. П. Васильев, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, С. А. Блохин, В. М. Устинов, “Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 51–54; Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1063–1066
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5298 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i20/p51
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 55 | PDF полного текста: | 15 |
|