Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 21, страницы 40–43
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48473.17974 (Mi pjtf5281) 		 
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках

Б. С. Швецовab, А. Н. Мацукатоваab, А. А. Миннехановb, А. А. Несмеловb, Б. В. Гончаровb, Д. А. Лапкинb, М. Н. Мартышовa, П. А. Форшbc, В. В. Рыльковbd, В. А. Деминb, А. В. Емельяновbc

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет), Институт нано-, био-, информационных, когнитивных и социогуманитарных наук и технологий, Москва, Россия
d Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (267 kB) Список цитирования (14)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48473.17974
Аннотация: Представлены результаты создания и изучения гибких мемристивных структур на основе слоев полипараксилилена, которые демонстрируют стабильные резистивные переключения и обладают устойчивостью к изгибам вплоть до радиусов 10 mm. Предложена двухшаговая схема установления резистивного состояния мемристивной структуры, основанная на контроле значения предельного тока, протекающего через структуру. Полученные результаты открывают возможность использования мемристивных структур на основе слоев полипараксилилена для нейроморфных вычислительных систем и биосовместимой “носимой” электроники.
Ключевые слова: мемристор, органическая электроника, полипараксилилен, гибкие структуры.
Поступила в редакцию: 11.07.2019
Исправленный вариант: 11.07.2019
Принята в печать: 17.07.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 11, Pages 1103–1106
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019110130
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. С. Швецов, А. Н. Мацукатова, А. А. Миннеханов, А. А. Несмелов, Б. В. Гончаров, Д. А. Лапкин, М. Н. Мартышов, П. А. Форш, В. В. Рыльков, В. А. Демин, А. В. Емельянов, “Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 40–43; Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1103–1106
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShvMatMin19}
\by Б.~С.~Швецов, А.~Н.~Мацукатова, А.~А.~Миннеханов, А.~А.~Несмелов, Б.~В.~Гончаров, Д.~А.~Лапкин, М.~Н.~Мартышов, П.~А.~Форш, В.~В.~Рыльков, В.~А.~Демин, А.~В.~Емельянов
\paper Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 21
\pages 40--43
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5281}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48473.17974}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848466}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 11
\pages 1103--1106
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019110130}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5281
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i21/p40
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:65
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024