Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения

Продемонстрировано перераспределение интенсивностей коротковолновых и длинноволновых компонент в пределах полосы усиления в спектре генерации квантово-каскадного лазера спектрального диапазона 7–8 $\mu$m под действием управляющего напряжения. При увеличении напряжения с 10.5 до 18.2 V длина волны, соответствующая максимуму интенсивности лазерного излучения, смещается примерно на 200 nm. Максимальная ширина спектра генерации составляет порядка 300 nm (при температуре 80 K). Гетероструктура квантово-каскадного лазера выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Использована конструкция активной области на основе двухфононной схемы опустошения нижнего уровня с применением гетеропары твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As, согласованных по параметру кристаллической решетки с подложкой InP.