|
Упругое рассеяние нейтрального фтора на атомах Si, O, C и H в диапазоне относительных кинетических энергий 2–200 eV
А. П. Паловa, J. Zhangb, M. Baklanovb, Sh. Weib a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
b Institute of Electronic Information Engineering, North China University of Technology, Beijing, China
Аннотация:
Бинарные межатомные потенциалы F–F, F–Si, F–O, F–C и F–H рассчитаны из первых принципов (ab initio) на основе многоконфигурационного метода самосогласованного поля (CAS-SCF) с базисным набором атомных волновых функций aug-pp-AV6Z и использованы для расчета сдвигов фаз и сечений упругого рассеяния атомов в диапазоне относительных кинетических энергий 2–200 eV. Ожидается, что полученные сечения упругого рассеяния будут полезны для описания распыления и травления пористых органосиликатных пленок с этиленовыми мостиками, используемых в современной наноэлектронике.
Ключевые слова:
распыление, травление, фтор, органосиликатные стекла.
Поступила в редакцию: 28.06.2019 Исправленный вариант: 28.06.2019 Принята в печать: 26.08.2019
Образец цитирования:
А. П. Палов, J. Zhang, M. Baklanov, Sh. Wei, “Упругое рассеяние нейтрального фтора на атомах Si, O, C и H в диапазоне относительных кинетических энергий 2–200 eV”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019), 19–22; Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1187–1190
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5249 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i23/p19
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 10 |
|