Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 23, страницы 19–22
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.23.48713.17955 (Mi pjtf5249) 		 
Упругое рассеяние нейтрального фтора на атомах Si, O, C и H в диапазоне относительных кинетических энергий 2–200 eV

А. П. Паловa, J. Zhangb, M. Baklanovb, Sh. Weib

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
b Institute of Electronic Information Engineering, North China University of Technology, Beijing, China
PDF полного текста (367 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.23.48713.17955
Аннотация: Бинарные межатомные потенциалы F–F, F–Si, F–O, F–C и F–H рассчитаны из первых принципов (ab initio) на основе многоконфигурационного метода самосогласованного поля (CAS-SCF) с базисным набором атомных волновых функций aug-pp-AV6Z и использованы для расчета сдвигов фаз и сечений упругого рассеяния атомов в диапазоне относительных кинетических энергий 2–200 eV. Ожидается, что полученные сечения упругого рассеяния будут полезны для описания распыления и травления пористых органосиликатных пленок с этиленовыми мостиками, используемых в современной наноэлектронике.
Ключевые слова: распыление, травление, фтор, органосиликатные стекла.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-52-53017
National Natural Science Foundation of China 81811530114
Исследование проведено при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 18-52-53017) и National Natural Science Foundation of China (грант № 81811530114).
Поступила в редакцию: 28.06.2019
Исправленный вариант: 28.06.2019
Принята в печать: 26.08.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 12, Pages 1187–1190
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019120113
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Палов, J. Zhang, M. Baklanov, Sh. Wei, “Упругое рассеяние нейтрального фтора на атомах Si, O, C и H в диапазоне относительных кинетических энергий 2–200 eV”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019), 19–22; Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1187–1190
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PalZhaBak19}
\by А.~П.~Палов, J.~Zhang, M.~Baklanov, Sh.~Wei
\paper Упругое рассеяние нейтрального фтора на атомах Si, O, C и H в диапазоне относительных кинетических энергий 2--200 eV
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 23
\pages 19--22
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5249}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.23.48713.17955}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848495}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 12
\pages 1187--1190
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019120113}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5249
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i23/p19
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024