|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра
А. Н. Мацукатоваa, А. В. Емельяновb, А. А. Миннехановb, Д. А. Сахарутовb, А. Ю. Вдовиченкоbc, Р. А. Камышинскийbd, В. А. Деминb, В. В. Рыльковbe, П. А. Форшb, С. Н. Чвалунbc, П. К. Кашкаровabf a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Институт синтетических полимерных материалов им. Н. С. Ениколопова РАН, г. Москва
d Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук
e Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
f Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация:
Изучены свойства мемристоров на основе поли-$n$-ксилилена с наночастицами серебра: их вольт-амперные характеристики и эффект резистивного переключения, устойчивость к циклическим переключениям и возможность хранения резистивного состояния во времени. Обнаружено, что внедрение наночастиц приводит к существенному улучшению основных мемристивных характеристик. Полученные результаты могут быть использованы для создания больших массивов мемристоров с однородными характеристиками, эмулирующих синапсы в нейроморфных вычислительных системах.
Ключевые слова:
мемристор, органическая электроника, поли-$n$-ксилилен, нанокомпозит.
Поступила в редакцию: 09.10.2019 Исправленный вариант: 09.10.2019 Принята в печать: 15.10.2019
Образец цитирования:
А. Н. Мацукатова, А. В. Емельянов, А. А. Миннеханов, Д. А. Сахарутов, А. Ю. Вдовиченко, Р. А. Камышинский, В. А. Демин, В. В. Рыльков, П. А. Форш, С. Н. Чвалун, П. К. Кашкаров, “Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 25–28; Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 73–76
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5210 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i2/p25
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 62 | PDF полного текста: | 33 |
|