Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 2, страницы 25–28
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48948.18064 (Mi pjtf5210) 		 
Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра

А. Н. Мацукатоваa, А. В. Емельяновb, А. А. Миннехановb, Д. А. Сахарутовb, А. Ю. Вдовиченкоbc, Р. А. Камышинскийbd, В. А. Деминb, В. В. Рыльковbe, П. А. Форшb, С. Н. Чвалунbc, П. К. Кашкаровabf

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Институт синтетических полимерных материалов им. Н. С. Ениколопова РАН, г. Москва
d Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук
e Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
f Санкт-Петербургский государственный университет
PDF полного текста (509 kB) Список цитирования (17)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48948.18064
Аннотация: Изучены свойства мемристоров на основе поли-$n$-ксилилена с наночастицами серебра: их вольт-амперные характеристики и эффект резистивного переключения, устойчивость к циклическим переключениям и возможность хранения резистивного состояния во времени. Обнаружено, что внедрение наночастиц приводит к существенному улучшению основных мемристивных характеристик. Полученные результаты могут быть использованы для создания больших массивов мемристоров с однородными характеристиками, эмулирующих синапсы в нейроморфных вычислительных системах.
Ключевые слова: мемристор, органическая электроника, поли-$n$-ксилилен, нанокомпозит.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-79-10253
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 18-79-10253).
Поступила в редакцию: 09.10.2019
Исправленный вариант: 09.10.2019
Принята в печать: 15.10.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 1, Pages 73–76
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020010277
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Мацукатова, А. В. Емельянов, А. А. Миннеханов, Д. А. Сахарутов, А. Ю. Вдовиченко, Р. А. Камышинский, В. А. Демин, В. В. Рыльков, П. А. Форш, С. Н. Чвалун, П. К. Кашкаров, “Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 25–28; Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 73–76
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MatEmeMin20}
\by А.~Н.~Мацукатова, А.~В.~Емельянов, А.~А.~Миннеханов, Д.~А.~Сахарутов, А.~Ю.~Вдовиченко, Р.~А.~Камышинский, В.~А.~Демин, В.~В.~Рыльков, П.~А.~Форш, С.~Н.~Чвалун, П.~К.~Кашкаров
\paper Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 2
\pages 25--28
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5210}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48948.18064}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776862}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 1
\pages 73--76
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020010277}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5210
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i2/p25
    • Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025