Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 2, страницы 22–24
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48947.18007 (Mi pjtf5209) 		 
Роль пьезоэффекта в аномальной зависимости проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом от расстояния между контактами

В. Е. Сизов, М. В. Степушкин

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (204 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48947.18007
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом в области температур 10–300 K. При низких температурах с уменьшением расстояния между контактами к структуре от 100 до 20 $\mu$m наблюдался рост сопротивления. Для объяснения данной аномальной зависимости выполнено численное моделирование влияния пьезоэффекта в полупроводнике на проводимость канала. Показано, что необходимо учитывать кристаллографическую ориентацию канала и влияние на его потенциал удаленных пьезозарядов.
Ключевые слова: двумерный электронный газ, проводимость канала, пьезоэлектрический эффект, кристаллографическое направление, AlGaAs/GaAs.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена в рамках государственного задания.
Поступила в редакцию: 02.08.2019
Исправленный вариант: 14.10.2019
Принята в печать: 15.10.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 1, Pages 69–72
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020010290
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Е. Сизов, М. В. Степушкин, “Роль пьезоэффекта в аномальной зависимости проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом от расстояния между контактами”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 22–24; Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 69–72
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SizSte20}
\by В.~Е.~Сизов, М.~В.~Степушкин
\paper Роль пьезоэффекта в аномальной зависимости проводимости гетероструктуры AlGaAs/GaAs с двумерным электронным газом от расстояния между контактами
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 2
\pages 22--24
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5209}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48947.18007}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776861}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 1
\pages 69--72
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020010290}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5209
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i2/p22
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025