Структура и сегнетоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных тонких пленок NaNbO$_{3}$, полученных методом RF-катодного распыления

Впервые методом RF-катодного распыления в атмосфере кислорода получены тонкие пленки NaNbO$_{3}$ на подложке MgO(001), на которую предварительно был осажден слой SrRuO$_{3}$. По данным рентгенодифракционного анализа установлено, что пленки являются однофазными и монокристаллическими. Параметры элементарных ячеек в тетрагональном приближении для слоев NaNbO$_{3}$ и SrRuO$_{3}$ составили $c_{\mathrm{NaNbO}_3}$ = 0.3940 (1) nm, $a_{\mathrm{NaNbO}_3}$ = 0.389 (1) nm; $c_{\mathrm{SrRuO_3}}$ = 0.4004 (1) nm, $a_{\mathrm{SrRuO}_3}$ = 0.392 (3) nm. Деформация элементарной ячейки для NaNbO$_{3}$ составила $\varepsilon_{33}$ = 0.007, $\varepsilon_{11}$ = 0.002. Диэлектрические и пьезоэлектрические измерения свидетельствуют о том, что пленки находятся в сегнетоэлектрическом состоянии.