|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Пространственное распределение каналируемых ионов и пробеги изотопов водорода в кристаллическом кремнии и вольфраме
Д. С. Мелузова, П. Ю. Бабенко, А. П. Шергин, А. Н. Зиновьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Рассчитаны пробеги ионов H, D в кристаллическом Si и W. Показано, что с ростом энергии ионов распределение пробегов по глубине распадается на две компоненты: одна связана с рассеянием атомов в поверхностных слоях, а другая характеризует частицы, захваченные в канал. Обнаружено новое явление: после прохождения небольшого расстояния формируется устойчивая пространственная структура компоненты пучка, захваченной в канал. При торможении ионов начинается переход частиц в соседние каналы, и вблизи точки остановки пространственная структура пучка частиц, захваченных в канал, разрушается. Предложена схема эксперимента, позволяющая связать полученное пространственное распределение с угловыми распределениями вылетевших частиц.
Ключевые слова:
каналирование, пространственное распределение, кристалл, пробеги.
Поступила в редакцию: 12.09.2019 Исправленный вариант: 12.09.2019 Принята в печать: 06.12.2019
Образец цитирования:
Д. С. Мелузова, П. Ю. Бабенко, А. П. Шергин, А. Н. Зиновьев, “Пространственное распределение каналируемых ионов и пробеги изотопов водорода в кристаллическом кремнии и вольфраме”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 34–37; Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 235–238
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5171 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i5/p34
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 57 | PDF полного текста: | 19 |
|