Снижение плотности прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-сапфир, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

С помощью многокристальной рентгеновской дифрактометрии и системы многолучевого оптического измерителя напряжений исследовались темплейты AlN/$c$-сапфир, выращенные методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследования зародышевых и буферных слоев, выращенных при различных соотношениях ростовых потоков Al и N$^{*}$ и температурах подложки, показали возможность получения темплейтов с небольшими растягивающими упругими напряжениями ($<$ 0.5 GPa) и плотностями винтовых и краевых прорастающих дислокаций 4 $\cdot$ 10$^{8}$ и 8 $\cdot$ 10$^{9}$ cm$^{-2}$ соответственно.