Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 8, страницы 29–31
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.08.49305.18215 (Mi pjtf5130) 		 
Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления

В. Н. Бессоловa, Н. Д. Грузиновb, М. Е. Компанa, Е. В. Коненковаa, В. Н. Пантелеевa, С. Н. Родинa, М. П. Щегловa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (225 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.08.49305.18215
Аннотация: Эпитаксиальные слои AlN выращены на подложке Si(111) при последовательном применении нескольких методов: реактивного магнетронного распыления (до толщины 20 nm), газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (до толщины 450 nm) и хлоридно-гидридной газофазной эпитаксии (до толщины 2 $\mu$m). Формирование AlN таким комбинированным методом обеспечивает существенное снижение деформации слоя и подавление формирования трещин.
Ключевые слова: нитрид алюминия, кремний, газофазная эпитаксия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-08-00096
Исследования В.Н. Бессолова, Е.В. Коненковой, В.Н. Пантелеева выполнены при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований в рамках научного проекта № 20-08-00096.
Поступила в редакцию: 22.01.2020
Исправленный вариант: 22.01.2020
Принята в печать: 27.01.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 4, Pages 382–384
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020040185
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Бессолов, Н. Д. Грузинов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, “Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления”, Письма в ЖТФ, 46:8 (2020), 29–31; Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 382–384
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BesGruKom20}
\by В.~Н.~Бессолов, Н.~Д.~Грузинов, М.~Е.~Компан, Е.~В.~Коненкова, В.~Н.~Пантелеев, С.~Н.~Родин, М.~П.~Щеглов
\paper Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 8
\pages 29--31
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5130}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.08.49305.18215}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800662}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 4
\pages 382--384
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020040185}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5130
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i8/p29
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024