|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Получение тонких пленок графита на диэлектрической подложке с помощью гетероэпитаксиального синтеза
И. А. Сорокинab, Д. В. Колодкоab, В. А. Лузановa, Е. Г. Шустинa a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация:
Представлены результаты отработки методики получения тонких графитовых пленок на диэлектрической подложке методом отжига структуры Al$_{2}$O$_{3}$(0001)/Ni(111)/$ta$-C. Методика основана на каталитическом разложении углеводородов на поверхности монокристаллической пленки металла-катализатора на диэлектрической подложке и последующей диффузии и кристаллизации углерода между металлической пленкой и подложкой. После химического травления металлической пленки получается тонкая графитовая пленка с низкой плотностью дефектов кристаллической структуры на диэлектрической подложке.
Ключевые слова:
графен, гетероэпитаксия, металл-катализатор, синтез, никель, диэлектрическая подложка.
Поступила в редакцию: 19.12.2019 Исправленный вариант: 28.02.2020 Принята в печать: 02.03.2020
Образец цитирования:
И. А. Сорокин, Д. В. Колодко, В. А. Лузанов, Е. Г. Шустин, “Получение тонких пленок графита на диэлектрической подложке с помощью гетероэпитаксиального синтеза”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 38–41; Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 497–500
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5105 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i10/p38
|
|