Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 11, страницы 51–54
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.11.49501.17964 (Mi pjtf5094) 		 
Формирование бикристаллических пленок ZnO на ромбоэдрической плоскости сапфира при высоких скоростях роста

А. Э. Муслимовa, А. М. Исмаиловb, А. Ш. Асваровac, В. А. Бабаевb, В. М. Каневскийa

a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова а ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
b Дагестанский государственный университет, г. Махачкала
c Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН
PDF полного текста (588 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.11.49501.17964
Аннотация: Предложена методика формирования бикристаллической пленки ZnO c использованием особенностей метода магнетронного распыления и ориентирующего действия ромбоэдрической плоскости сапфира. Показано, что при последовательном использовании двух режимов осаждения ($\sim$2 и $\sim$16 nm/s) формируется бикристаллическая пленка с (110)-ориентированным нижним подслоем и (002)-ориентированным верхним. Рекристаллизационный отжиг при 1000$^\circ$C в течение 10 h не влияет на верхний (002)-ориентированный слой и приводит к релаксации напряжений в нижнем (110)-ориентированном слое.
Ключевые слова: оксид цинка, дифракция, бикристаллические пленки.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-12099 мк
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках выполнения работ по Государственным заданиям ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН в части “получения пленок” и Дагестанского федерального исследовательского центра РАН в части “структурной диагностики пленок” с использованием оборудования Центра коллективного пользования “Структурная диагностика материалов” ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН и Аналитического центра коллективного пользования ДФИЦ РАН, а также при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 18-29-12099 мк).
Поступила в редакцию: 05.07.2019
Исправленный вариант: 17.03.2020
Принята в печать: 17.03.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 6, Pages 568–571
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020060085
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Э. Муслимов, А. М. Исмаилов, А. Ш. Асваров, В. А. Бабаев, В. М. Каневский, “Формирование бикристаллических пленок ZnO на ромбоэдрической плоскости сапфира при высоких скоростях роста”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 51–54; Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 568–571
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MusIsmAsv20}
\by А.~Э.~Муслимов, А.~М.~Исмаилов, А.~Ш.~Асваров, В.~А.~Бабаев, В.~М.~Каневский
\paper Формирование бикристаллических пленок ZnO на ромбоэдрической плоскости сапфира при высоких скоростях роста
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 11
\pages 51--54
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5094}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.11.49501.17964}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800722}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 6
\pages 568--571
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020060085}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5094
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i11/p51
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024