Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 11, страницы 19–21
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.11.49493.18241
(Mi pjtf5086)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электропроводность монокристаллов MnGaInSе$_{4}$ на переменном токе

Н. Н. Нифтиевa, Ф. М. Мамедовb, М. Б. Мурадовc

a Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
b Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, г. Баку
c Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
Аннотация: Приводятся результаты исследования частотных и температурных зависимостей электропроводности монокристаллов MnGaInSе$_{4}$ на переменном электрическом токе. Установлено, что в температурном интервале 295.5–360 K при частотах 2 $\cdot$ 10$^{4}$–10$^{6}$ Hz для электропроводности выполняется закономерность $\sigma\sim f^{S}$(0.1 $\le S\le$ 1.0). Показано, что в монокристалле MnGaInSе$_{4}$ зависимость электропроводности от частоты можно объяснить при помощи мультиплетной модели, а проводимость в этих монокристаллах характеризуется зонно-прыжковым механизмом. На основе зависимостей $\lg\sigma\sim$10$^{3}$/$T$ определены энергии активации.
Ключевые слова: переменный ток, электропроводность, частота, зонно-прыжковый механизм, энергия активации, MnGaInSе$_{4}$.
Поступила в редакцию: 11.02.2020
Исправленный вариант: 11.02.2020
Принята в печать: 10.03.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 6, Pages 536–538
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020060103
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Н. Нифтиев, Ф. М. Мамедов, М. Б. Мурадов, “Электропроводность монокристаллов MnGaInSе$_{4}$ на переменном токе”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 19–21; Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 536–538
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NifMamMur20}
\by Н.~Н.~Нифтиев, Ф.~М.~Мамедов, М.~Б.~Мурадов
\paper Электропроводность монокристаллов MnGaInSе$_{4}$ на переменном токе
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 11
\pages 19--21
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5086}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.11.49493.18241}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800714}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 6
\pages 536--538
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020060103}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5086
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i11/p19
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024