Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 11, страницы 15–18
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.11.49492.18260 (Mi pjtf5085) 		 
Особенности воздействия ионов He и Ar низких энергий на нанопористые Si/SiO$_{2}$-материалы

А. А. Сычеваa, Е. Н. Воронинаab

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
PDF полного текста (326 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.11.49492.18260
Аннотация: Методом молекулярной динамики выполнено моделирование воздействия ионов He и Ar низких энергий (50–200 eV) на нанопористые материалы на основе Si и SiO$_{2}$. Полученные результаты подтверждают наблюдаемый экспериментально эффект уплотнения приповерхностных слоев материалов с малыми размерами пор и низкой пористостью, который обусловлен инициированным ионами процессом схлопывания пор. Исследованы различия в воздействии на нанопористые материалы ионов He и Ar и влияние их энергии на интенсивность структурных изменений.
Ключевые слова: low-$k$ диэлектрики, нанопористые материалы, молекулярная динамика, схлопывание пор.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10361П
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант № 16-12-10361П).
Поступила в редакцию: 25.02.2020
Исправленный вариант: 25.02.2020
Принята в печать: 06.03.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 6, Pages 532–535
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020060140
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Сычева, Е. Н. Воронина, “Особенности воздействия ионов He и Ar низких энергий на нанопористые Si/SiO$_{2}$-материалы”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 15–18; Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 532–535
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SycVor20}
\by А.~А.~Сычева, Е.~Н.~Воронина
\paper Особенности воздействия ионов He и Ar низких энергий на нанопористые Si/SiO$_{2}$-материалы
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 11
\pages 15--18
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5085}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.11.49492.18260}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800713}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 6
\pages 532--535
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020060140}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5085
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i11/p15
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024