|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Получение наноразмерных пленок CoSiO на поверхности СoSi$_{2}$ методом ионной имплантации
С. Б. Донаев Ташкентский государственный технический университет
Аннотация:
Изучены морфология, состав и электронные свойства пленки CoSiO, полученной на поверхности CoSi$_{2}$/Si(111) путем имплантации ионов О$_{2}$$^{+}$ в сочетании с отжигом. Определены параметры энергетических зон и получена информация о плотности состояний электронов валентной зоны и зоны проводимости. В частности, показано, что ширина запрещенной зоны этой пленки составляет $\sim$2.4 eV.
Ключевые слова:
поверхность, ионная имплантация, отжиг, ширина запрещенной зоны, морфология, нанопленка.
Поступила в редакцию: 18.03.2020 Исправленный вариант: 12.05.2020 Принята в печать: 14.05.2020
Образец цитирования:
С. Б. Донаев, “Получение наноразмерных пленок CoSiO на поверхности СoSi$_{2}$ методом ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 46:16 (2020), 16–18; Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 796–798
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5016 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i16/p16
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 53 | PDF полного текста: | 19 |
|