Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 16, страницы 16–18
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.16.49847.18293
(Mi pjtf5016)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Получение наноразмерных пленок CoSiO на поверхности СoSi$_{2}$ методом ионной имплантации

С. Б. Донаев

Ташкентский государственный технический университет
Аннотация: Изучены морфология, состав и электронные свойства пленки CoSiO, полученной на поверхности CoSi$_{2}$/Si(111) путем имплантации ионов О$_{2}$$^{+}$ в сочетании с отжигом. Определены параметры энергетических зон и получена информация о плотности состояний электронов валентной зоны и зоны проводимости. В частности, показано, что ширина запрещенной зоны этой пленки составляет $\sim$2.4 eV.
Ключевые слова: поверхность, ионная имплантация, отжиг, ширина запрещенной зоны, морфология, нанопленка.
Поступила в редакцию: 18.03.2020
Исправленный вариант: 12.05.2020
Принята в печать: 14.05.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 8, Pages 796–798
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020080192
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Б. Донаев, “Получение наноразмерных пленок CoSiO на поверхности СoSi$_{2}$ методом ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 46:16 (2020), 16–18; Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 796–798
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Don20}
\by С.~Б.~Донаев
\paper Получение наноразмерных пленок CoSiO на поверхности СoSi$_{2}$ методом ионной имплантации
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 16
\pages 16--18
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5016}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.16.49847.18293}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041078}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 8
\pages 796--798
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020080192}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5016
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i16/p16
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024