Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 20, страницы 7–10
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50147.18255 (Mi pjtf4958) 		 
Cвойства пленок на основе наноразмерных и субмикронных частиц InSb, пассивированных CdS

М. И. Шишкин, Ю. В. Никулин, Е. С. Прихожденко

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
PDF полного текста (441 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50147.18255
Аннотация: В пленке InSb, полученной термическим испарением на монокристалле CdS, наблюдается рост отражения в инфракрасной области спектра, типичный для плазменного резонанса в монокристаллах. Спектры комбинационного рассеяния показывают примерно постоянное соотношение аморфной и кристаллической фаз для пленок InSb на подложке CdS, что не характерно для пленки InSb на галлий-гадолиниевом гранате. Вольт-амперные характеристики пленки InSb на CdS, так же как и отожженного слоя квантовых точек InSb (ядро)–CdS (оболочка), линейны и, кроме того, становятся чувствительны к освещению.
Ключевые слова: полупроводниковые пленки, коллоидные квантовые точки, пассивация, спектроскопия комбинационного рассеяния.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-37-00085 мол_а
Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований в рамках проекта № 18-37-00085 мол_а.
Поступила в редакцию: 20.02.2020
Исправленный вариант: 10.07.2020
Принята в печать: 15.07.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 10, Pages 1000–1003
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020100296
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. И. Шишкин, Ю. В. Никулин, Е. С. Прихожденко, “Cвойства пленок на основе наноразмерных и субмикронных частиц InSb, пассивированных CdS”, Письма в ЖТФ, 46:20 (2020), 7–10; Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 1000–1003
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShiNikPri20}
\by М.~И.~Шишкин, Ю.~В.~Никулин, Е.~С.~Прихожденко
\paper Cвойства пленок на основе наноразмерных и субмикронных частиц InSb, пассивированных CdS
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 20
\pages 7--10
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4958}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.20.50147.18255}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44258634}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 10
\pages 1000--1003
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020100296}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4958
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i20/p7
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024