Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 23, страницы 48–50
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.23.50350.17971 (Mi pjtf4928) 		 
Выглаживание поверхности антимонида галлия

Р. В. Левин, И. В. Федоров, А. С. Власов, П. Н. Брунков, Б. В. Пушный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (106 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.23.50350.17971
Аннотация: Впервые представлены результаты исследования условий получения атомарно-гладкой поверхности подложек GaSb. Экспериментально показано, что можно улучшить качество поверхности образцов, изменяя условия отжига. Наименьшая шероховатость 1.3 nm получена при времени отжига 16 min при температуре 650$^\circ$C в потоке триметилсурьмы и H$_{2}$.
Ключевые слова: отжиг, подложка, GaSb, шероховатость, атомно-силовой микроскоп, фотолюминесценция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI62117X0018
АСМ-исследования проводились с использованием оборудования ЦКП “Материаловедение и диагностика в передовых технологиях” (ФТИ им. А.Ф. Иоффе), поддерживаемого Минобрнауки России (уникальный идентификатор проекта RFMEFI62117X0018).
Поступила в редакцию: 09.07.2019
Исправленный вариант: 25.08.2019
Принята в печать: 03.09.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 12, Pages 1203–1205
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020120123
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Левин, И. В. Федоров, А. С. Власов, П. Н. Брунков, Б. В. Пушный, “Выглаживание поверхности антимонида галлия”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 48–50; Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1203–1205
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LevFedVla20}
\by Р.~В.~Левин, И.~В.~Федоров, А.~С.~Власов, П.~Н.~Брунков, Б.~В.~Пушный
\paper Выглаживание поверхности антимонида галлия
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 23
\pages 48--50
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4928}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.23.50350.17971}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44574207}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 12
\pages 1203--1205
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020120123}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4928
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i23/p48
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024