Стимулированная электрическим полем фотопроводимость в области 3–8 $\mu$m в кремнии с нанокластерами атомов марганца

Показано, что, изменяя электрическое поле в материале фоторезистора на основе кремния, легированного атомами марганца с образованием нанокластеров Mn$_{4}$B, в диапазоне 0.1–30 V/cm, можно изменять красную границу фотоответа и фоточувствительность. Установлено, что, меняя значение электрического поля, удается смещать красную границу фотоответа образцов при $T$ = 100 K от 4.6 до 8 $\mu$m. Величина монохроматической фоточувствительности при $h\nu$ = 0.4 eV возрастает на 2.5 порядка при изменении поля с 1 до 3 V/cm.