Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 24, страницы 37–40
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.24.50427.18478 (Mi pjtf4912) 		 
Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния

Д. А. Кудряшовa, А. С. Гудовскихab, А. А. Максимоваb, А. И. Барановa, А. В. Уваровa, И. А. Морозовa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
PDF полного текста (92 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.24.50427.18478
Аннотация: Показана возможность оценки степени повреждения приповерхностного слоя кремния $p$-типа с помощью селективного контакта на основе MoO$_{x}$/$p$-Si. Продемонстрирована сильная чувствительность вольт-амперных характеристик к состояниям на поверхности кремния, образованным в процессе нанесения оксида кремния методом магнетронного распыления.
Ключевые слова: кремний, селективный контакт, плазменная деградация.
Финансовая поддержка
Исследования осуществлены в рамках проекта № 0788-2020-0008, выполняемого в рамках государственного задания № 075-00306-20-01 Министерства науки и высшего образования РФ.
Поступила в редакцию: 22.07.2020
Исправленный вариант: 16.09.2020
Принята в печать: 16.09.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 12, Pages 1245–1248
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020120202
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. А. Максимова, А. И. Баранов, А. В. Уваров, И. А. Морозов, “Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 37–40; Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1245–1248
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KudGudMak20}
\by Д.~А.~Кудряшов, А.~С.~Гудовских, А.~А.~Максимова, А.~И.~Баранов, А.~В.~Уваров, И.~А.~Морозов
\paper Применение селективного контакта MoO$_{x}$/$p$-Si для оценки деградации приповерхностной области кремния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 24
\pages 37--40
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4912}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.24.50427.18478}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44574289}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 12
\pages 1245--1248
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020120202}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4912
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i24/p37
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:58
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024