Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1986, том 12, выпуск 4, страницы 205–210 (Mi pjtf49)  
Влияние случайных изменений толщины квантоворазмерного активного слоя на излучательные характеристики гетеролазеров

К. Ю. Кижаев, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
PDF полного текста (606 kB)
Поступила в редакцию: 19.12.1985
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Ю. Кижаев, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, С. А. Никишин, Е. Л. Портной, В. Б. Смирницкий, “Влияние случайных изменений толщины квантоворазмерного активного слоя на излучательные характеристики гетеролазеров”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 205–210
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KizKucLaz86}
\by К.~Ю.~Кижаев, В.~И.~Кучинский, А.~С.~Лазутка, С.~А.~Никишин, Е.~Л.~Портной, В.~Б.~Смирницкий
\paper Влияние случайных изменений толщины квантоворазмерного активного слоя на излучательные характеристики гетеролазеров
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1986
\vol 12
\issue 4
\pages 205--210
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf49}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf49
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v12/i4/p205
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024