Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 1, страницы 31–34
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.01.50455.18465 (Mi pjtf4897) 		 
Особенности применения электронов в исследовании пленок гексаферрита бария на $c$-сапфире

А. Э. Муслимовa, М. Г. Исмаиловb, В. М. Каневскийa

a Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук
b Дагестанский государственный университет, г. Махачкала
PDF полного текста (604 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.01.50455.18465
Аннотация: Исследованы процессы формирования пленок (0001)BaFe$_{12}$O$_{19}$ на сапфире с ферромагнитной “легкой осью”, направленной вдоль нормали к подложке. Изучено распространение пучка высокоэнергетических электронов в процессе взаимодействия с пленкой (0001)BaFe$_{12}$O$_{19}$ в зависимости от угла падения пучка. Продемонстрировано отклонение скользящего пучка электронов магнитным полем пленки (0001)BaFe$_{12}$O$_{19}$. Показано, что присутствие пленки (0001)BaFe$_{12}$O$_{19}$ на сапфире приводит к перераспределению катодолюминесценции в нем преимущественно в “красную” область. Излучения, связанного с самой пленкой, в эксперименте не обнаружено.
Ключевые слова: гексаферрит бария, сапфир, электроны, люминесценция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI62119X0035
Российский фонд фундаментальных исследований 18-29-12099 мк
Работа выполнена с использованием оборудования ЦКП ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” при поддержке Минобрнауки России (проект RFMEFI62119X0035) в рамках выполнения работ по государственным заданиям ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, а также при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 18-29-12099 мк).
Поступила в редакцию: 14.07.2020
Исправленный вариант: 21.09.2020
Принята в печать: 22.09.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 1, Pages 27–30
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021010090
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Э. Муслимов, М. Г. Исмаилов, В. М. Каневский, “Особенности применения электронов в исследовании пленок гексаферрита бария на $c$-сапфире”, Письма в ЖТФ, 47:1 (2021), 31–34; Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 27–30
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MusIsmKan21}
\by А.~Э.~Муслимов, М.~Г.~Исмаилов, В.~М.~Каневский
\paper Особенности применения электронов в исследовании пленок гексаферрита бария на $c$-сапфире
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 1
\pages 31--34
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4897}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.01.50455.18465}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44860432}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 1
\pages 27--30
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021010090}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4897
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i1/p31
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025