Влияние поэтапного постимплантационного отжига на состав и структуру поверхностных слоев кремния, имплантированного ионами щелочных металлов

Изучена динамика изменения кристаллической структуры, элементного и химического состава поверхностных слоев Si, имплантированного ионами Na$^{+}$, Rb$^{+}$ и Cs$^{+}$, при поэтапном отжиге при различных температурных режимах. Показано, что в случае ионов Na$^{+}$ после прогрева при температуре $T$ = 900 K на поверхности образуется пленка NaSi$_{2}$, при $T$ = 1000 K – монослойное покрытие NaSi$_{2}$, а при $T$ = 1100 K поверхность и приповерхностные слои Si полностью очищаются от атомов легирующего элемента, кислорода и углерода.