Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 3, страницы 37–39
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.03.50574.18588 (Mi pjtf4872) 		 
AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов

М. А. Сухановa, А. К. Бакаровab, К. С. Журавлёвab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (1100 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.03.50574.18588
Аннотация: Описаны особенности процесса выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии AlSb/InAs-гетероструктур с высокоподвижным двумерным электронным газом для СВЧ-транзисторов со сверхмалым энергопотреблением. Изложены основные этапы изготовления транзисторов на основе AlSb/InAs-гетероструктур. Представлены и обсуждены стоковые и сток-затворные характеристики транзисторов.
Ключевые слова: AlSb/InAs-гетероструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, HEMT-транзистор.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-15-2020-797
Работа поддержана грантом Министерства науки и высшего образования № 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024).
Поступила в редакцию: 16.10.2020
Исправленный вариант: 25.10.2020
Принята в печать: 25.10.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 2, Pages 139–142
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021020127
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Суханов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлёв, “AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 37–39; Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 139–142
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SukBakZhu21}
\by М.~А.~Суханов, А.~К.~Бакаров, К.~С.~Журавлёв
\paper AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 3
\pages 37--39
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4872}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.03.50574.18588}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44872061}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 2
\pages 139--142
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021020127}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4872
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i3/p37
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024