|
Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te
А. В. Войцеховскийa, С. Н. Несмеловa, С. М. Дзядухa, В. С. Варавинb, С. А. Дворецкийab, Н. Н. Михайловba, Г. Ю. Сидоровab, М. В. Якушевb, Д. В. Маринb a Национальный исследовательский Томский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Пленки $n$-Hg$_{0.775}$Cd$_{0.225}$Te с приповерхностными широкозонными слоями выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si (013). Для измерений адмиттанса структуры металл-диэлектрик-полупроводник изготовлены на основе исходной пленки HgCdTe, пленки после имплантации, а также пленки после имплантации и отжига. При помощи методик, учитывающих наличие варизонных слоев и медленных состояний, определены основные параметры приповерхностных слоев пленок HgCdTe после технологических процедур, применяемых при создании фотодиодов.
Ключевые слова:
Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te, молекулярно-лучевая эпитаксия, ионная имплантация, МДП-структура, адмиттанс.
Поступила в редакцию: 28.10.2020 Исправленный вариант: 07.11.2020 Принята в печать: 28.10.2020
Образец цитирования:
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, Д. В. Марин, “Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021), 33–35; Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 189–192
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4857 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i4/p33
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 16 |
|