|
Роль кулоновского взаимодействия в дефектной модели барьера Шоттки
С. Ю. Давыдовa, О. В. Посредникb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
Аннотация:
Предложена модель барьера Шоттки, в которой на интерфейсе присутствуют димеры, состоящие из полупроводниковых дефектов и ближайших к ним атомов металла. Между электронами дефектов и металлических атомов включено короткодействующее кулоновское отталкивание. Получены аналитические выражения для чисел заполнения атомов и дефектов и высоты барьера Шоттки.
Ключевые слова:
интерфейсный полупроводниковый дефект, интерфейсный атом металла, кулоновское отталкивание, числа заполнения.
Поступила в редакцию: 23.10.2020 Исправленный вариант: 21.11.2020 Принята в печать: 22.11.2020
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, О. В. Посредник, “Роль кулоновского взаимодействия в дефектной модели барьера Шоттки”, Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 28–30; Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 234–236
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4841 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i5/p28
|
|