Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 6, страницы 29–31
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.06.50755.18619
(Mi pjtf4828)
 

Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs

С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследованы фотопреобразователи лазерного излучения для диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs. Показано, что уменьшение степени упорядочения в слоях GaInP за счет введения атомов сурьмы приводит к коротковолновому сдвигу края поглощения с одновременным увеличением напряжения холостого хода, а увеличение общей толщины фотоактивных слоев фотопреобразователей лазерного излучения выражается в повышении спектральной чувствительности. Проведенная оптимизация позволяет повысить коэффициент полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения с 39.4 до 44.4%.
Ключевые слова: фотопреобразователь лазерного излучения, КПД, спектральная чувствительность, напряжение холостого хода, газофазная эпитаксия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-08-00868 А
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 20-08-00868 А).
Поступила в редакцию: 16.11.2020
Исправленный вариант: 08.12.2020
Принята в печать: 08.12.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 4, Pages 290–292
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378502103024X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 29–31; Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 290–292
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MinNakSal21}
\by С.~А.~Минтаиров, М.~В.~Нахимович, Р.~А.~Салий, М.~З.~Шварц, Н.~А.~Калюжный
\paper Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520--540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 6
\pages 29--31
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4828}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.06.50755.18619}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46301748}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 4
\pages 290--292
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378502103024X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4828
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i6/p29
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024