|
Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs
С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы фотопреобразователи лазерного излучения для диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs. Показано, что уменьшение степени упорядочения в слоях GaInP за счет введения атомов сурьмы приводит к коротковолновому сдвигу края поглощения с одновременным увеличением напряжения холостого хода, а увеличение общей толщины фотоактивных слоев фотопреобразователей лазерного излучения выражается в повышении спектральной чувствительности. Проведенная оптимизация позволяет повысить коэффициент полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения с 39.4 до 44.4%.
Ключевые слова:
фотопреобразователь лазерного излучения, КПД, спектральная чувствительность, напряжение холостого хода, газофазная эпитаксия.
Поступила в редакцию: 16.11.2020 Исправленный вариант: 08.12.2020 Принята в печать: 08.12.2020
Образец цитирования:
С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 29–31; Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 290–292
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4828 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i6/p29
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 11 |
|